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시장보고서
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GaN 산업용 디바이스 시장 조사 보고서 : 산업 분석, 규모, 점유율, 성장, 동향, 예측(2024-2032년)Global GaN Industrial Devices Market Research Report - Industry Analysis, Size, Share, Growth, Trends and Forecast 2024 to 2032 |
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GaN 산업용 디바이스 시장의 세계 수요는 2023년 9억 6,190만 달러에서 2032년에는 약 28억 2,803만 달러의 시장 규모에 달할 것으로 추정되며, 조사 기간인 2024-2032년 CAGR은 12.73%입니다.
질화갈륨(GaN)은 반도체 전력 기기 및 RF 부품 제조, LED 제조에 사용되는 재료입니다. 이 제품은 전력 변환, 아날로그 응용 및 RF에서 실리콘 반도체 고유의 효과적인 대체 기술을 유지하는 능력을 보여 주며, 넓은 밴드 갭을 가진 반도체 재료로 열 안정성, 높은 내전압, 낮은 전력 소비, 높은 스위칭 주파수, 우수한 전자 이동성, 극한 온도에 대한 내성, 높은 전도성 등의 고급 특성을 나타냅니다. 극한의 온도에 대한 내성, 높은 전도성 등 첨단 특성을 나타냅니다. 따라서 GaN 산업용 디바이스는 국방, 항공우주, 자동차, 정보 통신 기술, 배전 시스템 등에 응용되고 있습니다.
파워트레인용 인버터, 산업 및 중전기 시스템, 전력 변환 회로, 하이브리드 및 전기자동차, 스마트 전기 그리드 시스템, 터빈과 같은 대형 전력 용도에 대한 수요가 증가하면서 예측 기간 중 시장 성장을 가속할 것으로 보입니다. 많은 기업이 제품 설계와 성능을 개선함에 따라 이 제품은 많은 분야에 널리 보급되고 있습니다. 또한 GaN 기술은 실리콘 기술을 대체할 수 있는 잠재력을 가지고 있는데, 이는 실리콘에 비해 우수한 특성과 다양한 부문에서 대규모로 적용되고 있기 때문입니다. 또한 중전압 전력 전자 산업과 ICT 부문의 호황은 시장 동향을 더욱 촉진할 것으로 예상됩니다. 또한 전장에서의 성능을 향상시키기 위한 방위 산업에서의 제품 수요 증가는 예상 기간 중 사업 성장을 가속화할 가능성이 높습니다.
조사 리포트는 Porter's Five Forces 모델, 시장의 매력 분석, 밸류체인 분석을 다루고 있습니다. 이러한 툴은 업계의 구조를 명확하게 파악하고, 세계 레벨에서의 경쟁 매력을 평가하는데 도움이 됩니다. 또한 이러한 툴은 세계의 GaN 산업용 디바이스 시장 각 부문을 종합적으로 평가할 수도 있습니다. GaN 산업용 디바이스 산업의 성장과 동향은 이 조사에 전체적인 어프로치를 기재하고 있습니다.
GaN 산업용 디바이스 시장 보고서의 이 섹션에서는 국가별과 지역별 부문에 관한 상세한 데이터를 제공하고, 이에 따라 전략 담당자가 향후 비즈니스 기회와 함께 각각의 제품 및 서비스 대상층을 식별하는데 도움이 됩니다.
본 섹션에서는 북미, 유럽, 아시아태평양, 라틴아메리카, 중동 및 아프리카 GaN 산업용 디바이스 시장의 현재와 향후 수요를 강조하는 지역 전망을 다룹니다. 또한 모든 주요 지역의 개별 용도 부문의 수요·추정·예측에도 초점을 맞추고 있습니다.
커스텀 요건이 있는 경우, 문의해주시기 바랍니다. 당사의 조사 팀은 고객의 요구에 따른 맞춤형 리포트를 제공할 수 있습니다.
The global demand for GaN Industrial Devices Market is presumed to reach the market size of nearly USD 2828.03 Million by 2032 from USD 961.9 Million in 2023 with a CAGR of 12.73% under the study period 2024-2032.
Gallium nitride (GaN) is the material used in semiconductor power equipment & RF component manufacture, and the production of light-emitting diodes. The product has shown its ability to hold an inherent and effective displacement technique for silicon semiconductors in power transformation, analog application, and RF. GaN being a semiconductor material with a broad bandgap and representing advanced features like thermal stability, high breakdown voltage, reduced electricity consumption, high switching frequencies, good electron mobility, resistance to extreme temperatures, and high conductivity. Thus, GaN industrial devices find their applications in defense, aerospace, automotive, information & communication technology, and power distribution systems.
Massive demand for the product in high power applications comprising inverters for power trains, industrial & heavy electrical systems, power converter circuits, hybrid & electric vehicles, smart electric grid systems, and turbines will flourish the market growth over the forecast period. With an improvement in GaN technology and many players bringing improvisations in the product design and performance has led to enormous penetration of the product across numerous sectors. Additionally, GaN technology is probable to replace silicon technology due to its outstanding features and its large-scale applications in diverse sectors compared to silicon. Moreover, the booming medium voltage power electronics industry and the ICT sector are expected to boost market trends further. Also, rising product demand in the defense industry for improving the battlefield's performance is likely to upsurge the business growth over the estimated period.
The research report covers Porter's Five Forces Model, Market Attractiveness Analysis, and Value Chain analysis. These tools help to get a clear picture of the industry's structure and evaluate the competition attractiveness at a global level. Additionally, these tools also give an inclusive assessment of each segment in the global market of GaN Industrial Devices. The growth and trends of GaN Industrial Devices industry provide a holistic approach to this study.
This section of the GaN Industrial Devices market report provides detailed data on the segments at country and regional level, thereby assisting the strategist in identifying the target demographics for the respective product or services with the upcoming opportunities.
This section covers the regional outlook, which accentuates current and future demand for the GaN Industrial Devices market across North America, Europe, Asia-Pacific, Latin America, and Middle East & Africa. Further, the report focuses on demand, estimation, and forecast for individual application segments across all the prominent regions.
The research report also covers the comprehensive profiles of the key players in the market and an in-depth view of the competitive landscape worldwide. The major players in the GaN Industrial Devices market include Cree Inc., Freescale Semiconductors Incorporated, Fujitsu Limited, GaN Systems, Infineon Technologies AG, Nichia Corporation, NXP Semiconductors N.V., RF Micro Devices Inc., Texas Instruments Incorporated, Toshiba Corporation. This section consists of a holistic view of the competitive landscape that includes various strategic developments such as key mergers & acquisitions, future capacities, partnerships, financial overviews, collaborations, new product developments, new product launches, and other developments.
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